Правительство Российской Федерации скорректировало правила подтверждения российского происхождения твердотельных накопителей (SSD) и модулей оперативной памяти (DDR). Поправки, внесенные 8 декабря 2025 года в Постановление № 719, вводят с 1 января 2026 года балльную систему оценки технологической глубины производства на территории страны.

Ключевые технологические операции и баллы:

• Корпусирование интегральных схем (микроконтроллера или памяти NAND) — 20 баллов
• Монтаж всех элементов электронной компонентной базы (ЭКБ) на печатную плату и сборка готового изделия — 45 баллов
• Функциональное тестирование и технический контроль готового изделия — 10 баллов
• Запись идентифицирующей информации в энергонезависимую память — 5 баллов

Пороговые значения баллов для подтверждения производства:
Для SSD:

• с 1 января 2026 года — не менее 45 баллов
• с 1 января 2028 года — не менее 55 баллов
• с 1 января 2030 года — не менее 75 баллов

Для модулей памяти DDR:

• с 1 января 2026 года — не менее 45 баллов
• с 1 января 2028 года — не менее 60 баллов
• с 1 января 2030 года — не менее 70 баллов

Дополнительным требованием остается предоставление производителем полного пакета прав на конструкторскую и технологическую документацию, включая схемы, сборочные чертежи, программы испытаний, Gerber-файлы и технологические инструкции.

Экспертная оценка
Как отметил генеральный директор GS Nanotech Сергей Пластинин, впервые баллы можно получить не только за использование отечественной электронной компонентной базы, но и за выполнение ключевых технологических переделов на территории России. Это создаст устойчивый спрос на развитие соответствующих технологий и подготовку кадров, формируя задел для локализации последующих производственных этапов.

Ранее, по словам отраслевых собеседников, производители DDR-модулей были вынуждены включать в изделия избыточные микроконтроллеры исключительно для формального соответствия критериям Постановления № 719. Новая система, акцентирующая внимание на реальных технологических операциях, должна снизить подобные искажения и стимулировать именно производственную, а не «сборочную» локализацию.

Изменения направлены на поэтапное увеличение глубины переработки и технологической сложности производства запоминающих устройств в России, что соответствует долгосрочной стратегии импортозамещения в микроэлектронике.