В Инжиниринговом химико-технологическом центре Томского государственного университета (ИХТЦ ТГУ) успешно запущена первая в России опытная установка по производству дигидрата тартрата натрия (Na₂C₄H₄O₆·2H₂O) марки «ХЧ» (химически чистый). Вещество используется в качестве очищающего агента при подготовке поверхностей микроэлектронных компонентов перед их интеграцией в печатные платы, чипы и другие элементы интегральных схем. Его применение критично для обеспечения высокой степени чистоты поверхности — без него невозможно достичь требуемой адгезии, надёжности контактов и долговечности устройств.

Ранее дигидрат тартрата натрия закупался за рубежом, преимущественно из Европы и Китая. После введения санкционных ограничений поставки были прекращены, что поставило под угрозу стабильность производства отечественной электроники — включая изделия для оборонной, космической, транспортной и телекоммуникационной отраслей.

Мощность опытной установки позволяет производить до нескольких сотен килограммов вещества в год. По оценкам директора ИХТЦ Алексея Князева, этого объёма достаточно для полного удовлетворения годовой потребности российских предприятий микроэлектронной промышленности. Производство ведётся по технологии, разработанной в рамках проекта «Тартрат» — совместной инициативе ИХТЦ ТГУ и Новосибирского государственного университета.

На третьем этапе проекта, завершённом летом 2025 года, была смонтирована и запущена пилотная линия, произведены опытные партии, прошедшие строгие приемочные испытания. В результате анализа подтверждено соответствие продукта десяти ключевым параметрам качества, включая:

• массовую долю основного вещества (не менее 99,5%);
• содержание сульфатов (не более 0,005%);
• содержание нерастворимых в воде примесей (не более 0,001%);
• уровень металлических загрязнений (Fe, Cu, Al, Zn — в пределах допусков для электронной промышленности);
• pH-баланс раствора;
• удельная электропроводность;
• стабильность при хранении;
• отсутствие органических примесей;
• кристаллическая структура;
• гигроскопичность.

Продукт соответствует требованиям стандартов, применяемым в производстве полупроводников и микросборок. Уже в августе 2025 года АО «Светлана-Электронприбор» (Санкт-Петербург) заявило о готовности внедрить отечественный тартрат натрия в свои технологические цепочки — в частности, в процессы очистки подложек и металлизации перед литьём под давлением.

Разработка технологии началась в 2024 году по заказу Минпромторга России в рамках государственной программы «Развитие электронного машиностроения на период до 2030 года». Общий объём инвестиций в проект составил около 150 млн рублей. Это — часть более масштабной инициативы: в ноябре 2024 года Минпромторг опубликовал более десяти тендеров на освоение импортозамещающих химикатов для электроники, выделив на эти цели 4,8 млрд рублей. Среди приоритетных материалов — фторметан, тетрафторид кремния, гексаметилдисилизан, специализированные клеи и фоточувствительные пленки, все из которых ранее поставлялись из-за рубежа и с сентября 2022 года стали недоступны.

Дигидрат тартрата натрия стал одним из первых успешно реализованных проектов в этой серии. В августе 2025 года в том же ИХТЦ ТГУ стартовало производство высокочистого бромистого водорода (HBr) — ещё одного ключевого реагента для этching-процессов в полупроводниковой промышленности.

Запуск производства дигидрата тартрата натрия не только восполняет критический дефицит — он формирует основу для устойчивой внутренней цепочки поставок химикатов для микроэлектроники. Это позволяет снизить зависимость от внешних поставщиков, минимизировать риски перебоев в производстве и обеспечить контроль качества на всех этапах — от синтеза до применения. В перспективе планируется масштабирование мощностей для экспорта в страны ЕАЭС и другие регионы, где также возникла потребность в надёжных альтернативах импортным химикатам.